Учебный курс AVR. Проблемы при работе с EEPROM. Повышение надежности EEPROM. Ч3

31/07/2013 - 12:55 Павел Бобков

Введение

   В этом материале мы рассмотрим возможные проблемы при работе с EEPROM. Часть из них связана с аппаратным стороной микроконтроллера, такие как повреждение EEPROM при пониженном напряжении питания и ограниченный ресурс EEPROM, а часть с программным обеспечением, например, при использовании EEPROM в прерываниях. Также рассмотрим способы решения этих проблем и методы повышения надежности хранения данных в EEPROM.

Повреждение EEPROM при пониженном напряжении питания

   Одна из старых проблем AVR - это повреждение EEPROM данных при пониженном питании микроконтроллера. Это может происходить в двух случаях:

- Если напряжение питания ниже определенной величины, запись в EEPROM будет выполняться некорректно.
- При пониженном напряжении питания микроконтроллер сам может выполнять команды некорректно.

   Этих повреждений EEPROM данных можно избежать, соблюдая следующие рекомендации:

- Нужно удерживать микроконтроллер AVR в состоянии сброса, если напряжение питания находится ниже нормы. Для этого можно использовать внешние супервизоры питания или встроенный детектор пониженного питания - Brown-out Detector (BOD). Встроенный детектор управляется с помощью fuse битов микроконтроллера - BODEN и BODLEVEL. BODEN - разрешает/запрещает работу детектора, а BODLEVEL - определяет его уровень срабатывания.
   Если сброс микроконтроллера происходит во время процесса записи в EEPROM, то операция записи будет завершена только при достаточном уровне напряжения.

- Также в многие разработчике рекомендуют не использовать 0-ую ячейку EEPROM`a, поскольку именно ее содержимое чаще всего повреждается при снижении питания микроконтроллера.

Проблемы с EEPROM из-за прерываний

   Операция записи в EEPROM состоит из нескольких шагов. Вспомним эту последовательность:


1. Ожидаем готовности EEPROM, опрашивая бит EEWE регистра EECR.
2. Устанавливаем адрес в регистре EEAR.
3. Записываем байт данных в регистр EEDR.
4. Устанавливаем основной флаг разрешения записи EEMWE регистра EECE
5. Устанавливаем флаг разрешения записи EEWE регистра EECE

   Бит EEWE должен быть установлен в течении 4-ех тактов после установки бита EEMWE. Если этого не произойдет по причине прерываний, то запись в EEPROM не будет произведена. Этого легко избежать, если запретить прерывания перед 4-м шагом, а после 5-го снова разрешить их.

   Однако есть еще один подводный камень. Если прерывание возникло после 1-го, 2-го или 3-го шага, и в прерывании тоже используются операции с EEPROM (чтение или запись), то запись может не состояться, или запишутся не те данные и не туда, потому что содержимое регистров EEAR (адрес) и EEDR (данные) будет изменено.

   Описанное выше касается и процедуры чтения EEPROM.

   Лечить это можно следующими способами:

   - Не использовать операции чтения и записи EEPROM в прерываниях.
   Это особенно касается операции записи, потому что она медленная и выполняется с использованием внутреннего RC генератора. Например, для mega16 в даташите указано, что при записи в EEPROM используется внутренний RC генератор с частотой 1 МГц (независимо от установок fuse битов CKSEL) и время записи составляет 8.5 мс. Для прерывания это очень долго.

   - Запрещать прерывания на время всей процедуры записи (чтения) EEPROM, то есть в самом начале.

   - Сохранять в начале обработчика прерывания содержимое регистров EEAR (адрес) и EEDR (данные), а перед выходом восстанавливать их.

   - Использовать флаги (семафоры) для сигнализации о выполнении работы с EEPROM.
   Перед выполнением записи в основном цикле программы (или задаче, если используется ос) устанавливать программный флаг, а в прерывании (или другой задаче) проверять его.

Ресурс EEPROM

   EEPROM имеет ограниченный ресурс. Atmel гарантирует, что количество циклов перезаписи EEPROM составляет не меньше 100000. Цифра довольно большая, однако и она может быть достигнута, если записывать в EEPROM часто и на протяжении долгого времени.
   Есть два приема по "увеличению" ресурса EEPROM.
   Первый - простой и состоит в том, чтобы записывать в EEPROM данные, только если они изменили свое значение.


__eeprom uint8_t data;
uint8_t newData;

...
if (newData != data) {
data = newData;
}


   Второй- хитрый и состоит в том, чтобы хранить данные не в одной ячейки памяти (или группе ячеек, если речь идет о многобайтных переменных), а в нескольких, и записывать в них по очереди.
   Допустим, нам нужно хранить в EEPROM один байт. Выделяем под него 8 байтов и каждый раз записываем в следующую ячейку, когда доходим до последней ячейки, то записываем в первую. И так по кругу, как в кольцевом буфере. Если каждая ячейка EEPROM имеет ресурс 100000, то записывая в 8 ячеек по очереди, мы получаем ресурс перезаписи байта 800000.

EEPROM и оптимизация компилятора

   Переменные, которые объявлены, но не используются, часто удаляются компилятором в процессе оптимизации. Если такие переменные нужны, перед ними следует добавлять ключевое слово volatile.


//для IAR AVR
volatile __eeprom char name[] = "prog 12.3";


   Если используются свои функции для работы с EEPROM, то могут возникнуть проблемы при высоких уровнях оптимизации компилятора. Компилятор может объединить одинаковые (с его точки зрения) части кода в одну подпрограмму и нарушить логику работы вашей функции. Чтобы этого не происходило нужно или запрещать оптимизацию данной функции, или отключать перекрестную оптимизацию (cross call optimization) для функции или файла. Как это делается зависит от компилятора. Как правило, для этого существуют определенные ключи и прагмы.

Программные способы повышения надежности EEPROM

   Один из простых способов повышения надежности хранения данных в EEPROM - это метод мажоритарного резервирования. Суть метода заключается в том, что для хранения данных выделяется нечетное количество ячеек памяти - N. При сохранении данных - запись производится во все выделенные ячейки. При чтении - читаются тоже все, но решение относительно содержимого принимается на основе равенства (N+1)/2 ячеек.

   Рассмотрим пример тройного мажоритарного резервирования байта данных. Для сохранения байта используются три байта EEPROM, а решение о содержимом принимается на основании равенства 2 байтов. Код приведен для компилятора IAR AVR.


//функция сохранения
void EEPROM_SaveByte(uint8_t value, uint8_t __eeprom *buf)
{
   buf[0] = value;
   buf[1] = value;
   buf[2] = value;
}

//функция считывания
uint8_t EEPROM_LoadByte(uint8_t *value, uint8_t __eeprom *buf)
{
   uint8_t a = buf[0];
   uint8_t b = buf[1];
   uint8_t c = buf[2];

   if ((a == b)||(a == c)){
      *value = a;
      return 0;
   }
   else {
      if (b == c){  
         *value = b;
         return 0;
      }
   }
   return 1;
}

....
//пример использования

__eeprom uint8_t buffer[3];
uint8_t data;

EEPROM_SaveByte(125, buffer);
EEPROM_LoadByte(&data, buffer);


   В случае повреждения одной из ячеек или неудачной записи в одну из них, такой метод поможет избежать ошибки. Но если неправильное значение запишется в две ячейки, то прочитанные данные будут неверными.

   Другой метод повышения надежности хранимых данных состоит в использовании контрольных сумм, например CRC. Я не использовал этот метод в своей практике, поэтому о нем мало чего могу сказать.

   На этом все...

Комментарии   

# JoJo 31.07.2013 17:11
Отличная статья, как и две предыдущих по епрому.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Николай_ 31.07.2013 17:22
Хорошая статья, спасибо. У вас очень хороший сайт, все, как я посмотрел, посвящено микроконтроллер ам AVR. Не думаете ли вы переходить на другие микроконтроллер ы? Например сейчас очень популярны STM.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 31.07.2013 17:58
Атмеловский микроконтроллер на архитектуре Cortex-M3 сейчас немного изучаю. Из STM`ов только с STM8 разбирался. Интересный контроллер, несложный в освоении.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 31.07.2013 17:55
>>Если такие переменные нужны, перед ними следует добавлять ключевое слово volatile.
Нет, не volatile - он тут не нужен.
В IAR для этого есть соответствующее ключевое слово:
__root __eeprom char name[] = "prog 12.3";
для AvrGcc вроде так:
Код:
#include <avr/eeprom.h>
__attribute__ ((used)) EEMEM char name[]="prog 12.3";
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 31.07.2013 18:08
Согласен. __root специально, чтобы IAR не выкинул переменную при оптимизации. Просто volatile ко всем компиляторам подойдет.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 31.07.2013 19:32
Цитирую Pashgan:
Просто volatile ко всем компиляторам подойдет.

Может и подойдёт, но volatile не для того задумывался. Хоть в этой ситуации и выручает.
Off. У вас на сайте работа с переменными расположенными во flash под AVRGCC нигде не рассматривалась ?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 31.07.2013 20:06
1. Говоря о повышении ресурса, можно при записи сделать финт - сначала прочитать байт в ячейке EEPROM, и писать в нее только когда не совпадает с байтом, который хочешь записать. Для многобайтных чисел - может существенно улучшит и скорость и выносливость, потому как меньше пишется.
2. Ну раз у нас мажорирование - почему бы не сделать последний штрих - если какая-то ячейка из трёх не совпадает - сразу и попытаться исправить ее на основе найденного правильного числа. Может, она не сбилась вовсе, а просто недописалась когда-то из-за внезапной потери питания. Зачем ждать пока вторая отвалится и мы останемся ни с чем?
3. Есть еще спорный и философический аспект. Некоторые гуру утверждают, что ЕEPROM - то же самое как и флеш. То есть пишутся страницами, просто это скрыто от нас контроллером ЕЕПРОМ. И что понятие максимального количества перезаписей 100000 относится не к каждому байту а к странице. На эту тему в эпоху расцвета AVR было много споров, но не в этом суть. Суть в том, что тогда мажорирование имеет смысл только когда мажорируемые ячейки расположены "далеко" друг от дружки, заведомо в разных "страницах". В-общем - дело хозяйское, но я, например, сам вручную разбрасываю адреса для мажорируемых ячеек подальше.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 31.07.2013 20:16
1. Так я же про это написал.
2. Попробую это добавить позже. И про __root тоже.
3. О таких тонкостях не слышал.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 31.07.2013 20:23
1.Да, действительно написано. Че-та пропустил))
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 31.07.2013 21:02
Цитирую Peter:

3. Есть еще спорный и философический аспект. Некоторые гуру утверждают, что ЕEPROM - то же самое как и флеш. То есть пишутся страницами, просто это скрыто от нас контроллером ЕЕПРОМ. И что понятие максимального количества перезаписей 100000 относится не к каждому байту а к странице. На эту тему в эпоху расцвета AVR было много споров, но не в этом суть.

Атмеловская апнота (AVR101: High Endurance EEPROM Storage) тверждает, что используя круговой буфер, повысить ресурс eeprom можно. Про страницы там ничего не говорится. Почему им не верить?
P.S. В xmega eeprom действительно организована страницами.
Цитата:

Суть в том, что тогда мажорирование имеет смысл только когда мажорируемые ячейки расположены "далеко" друг от дружки, заведомо в разных "страницах".
Смысл мажорирования не в том, чтобы ресурс сберечь, а в том чтобы иметь возможность гарантированно восстановить значение переменной (или иметь признак того, что был апдейт переменной, во время которого произошёл сбой).
Цитата:

В-общем - дело хозяйское, но я, например, сам вручную разбрасываю адреса для мажорируемых ячеек подальше.
Сомнительное действие. Да и eeprom при включённом BOD-е и правильной схеме не слетает (как практика показывает).
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 01.08.2013 05:02
2. Нуну)) "Про страницы там ничего не говорится. Почему им не верить?"! Это ж атмеловский стиль. Я, например - не верю. Потому что вот берём ихний же даташЫт на мегу 644 (doc8272.pdf) и там легко находим фразу в разделе 27.7.5 Programming the EEPROM: "The EEPROM is organized in pages, see Table 27-8 on page 301". И неподалёку табличка: ATmega644A/ATme ga644PA EEPROM size: 2KBytes, EEPROMpagesize 8 bytes.
Так что не так всё просто :)

Далее.
Я:"Суть в том, что тогда мажорирование имеет смысл только когда мажорируемые ячейки расположены "далеко" друг от дружки, заведомо в разных "страницах".
---
Вы: "Смысл мажорирования не в том, чтобы ресурс сберечь, а в том чтобы иметь возможность гарантированно восстановить"
....
А разве я об том, что мажорирование сберегает ресурс? Игде?)) Я о том, что мажорирование самО не должно зависеть от выносливости СТРАНИЦЫ EEPROM.

Далее.
Вы."Сомнительное действие. Да и eeprom при включённом BOD-е и правильной схеме не слетает (как практика показывает)".

Опять не туда! При чем тут слетание по питанию? Речь об зависимости коррупции ячеек от endurance страницы EEPROM! Правильная разводка и endurance КАК связаны? С BOD'ом тоже - как?

Вам, видимо, предстоит много "открытий"))
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 01.08.2013 10:10
По моему это все-таки паранойей отдает. Если на одну переменную тратить по странице, емкость EEPROM уменьшается просто на порядки. И в 27 разделе речь идет о программировани и EEPROM извне. Кто мешает им сделать внешнее программировани е постраничное, а внутреннее побайтное.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 01.08.2013 10:11
Кто-нибудь проводил тест на непрерывную запись EEPROM в течении долгого времени?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Bob 01.08.2013 11:22
Не уж, раз матрица построена 256 page x 8 byte то как все остальное есть декорация этот факта.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 01.08.2013 16:48
Паранойя? Ну может быть и паранойя. Мания преследования))
Тут ведь как посмотреть насчет "тратить на одну переменную по странице". С одной стороны страницы-то у ЕПРОМА маааленькие, по 8 байтиков. Наверно, специально сделаны такими. Типа - отошел на 8 адресов - это уже другая страница. Ну например давайте разместим 6 мажорированных байтовых констант. Это могут быть адреса ЕЕПРОМ: 1-6(первая копия всех 6-ти констант), 9-14(вторая копия- уже в другой странице!) ,17-22(третья копия - опять в следующей странице). То есть 6 мажорированных констант - всего-навсего 22 байта. Ерунда.
А теперь опять Вас напугаю.
То, что я показал - это для хранения калибровочных и прочих констант. А вот если например хранить счетчик количества записанных данных логгера (который например каждую минуту меняется) - это уже не пойдёт! Тут применяются другие технологии - например, Spread (размазывание, распрыскивание по ЕЕПРОМ чтобы повысить количество циклов перезаписи. Это когда старшая, редко меняющаяся часть счетчика стоит на фиксированном месте и хранит текущий индекс буфера для средней части счетчика (это небольшой, байта 64, кольцевой буфер, хранящий в свою очередь, текущий индекс младшего байта (это тоже кольцевой буфер ~256 или 512 или даже 1024 байта). Тут - да. Тут Вы правы. Тут много памяти надо.Зато повысится количество циклов до миллионофф.
Уфф! Ну, на этом хватит. Удачи!
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 01.08.2013 20:08
Цитирую Peter:

Это ж атмеловский стиль. Я, например - не верю.

"Атмеловский" стиль? Ну да, eeprom у них наверное не той системы.

Цитирую Peter:

Потому что вот берём ихний же даташЫт на мегу 644 (doc8272.pdf) и там легко находим фразу в разделе 27.7.5 Programming the EEPROM: "The EEPROM is organized in pages, see Table 27-8 on page 301". И неподалёку табличка: ATmega644A/ATmega644PA EEPROM size: 2KBytes, EEPROMpagesize 8 bytes.
Так что не так всё просто :)

Вы приводите фразу, относящуюся к внешнему программированию. Изнутри доступ вполне может быть байтовым.
Например, из описания eeprom xmega(appnone AVR1315):
Цитата:

For a page erase operation, only the bytes that are tagged in the buffer will be erased in EEPROM.
Стираются только те байты, в которые производилась запись (несмотря на то что страничный буфер общий).
Цитирую Peter:

Я о том, что мажорирование самО не должно зависеть от выносливости СТРАНИЦЫ EEPROM.

Видимо нужен эксперимент, показывающий есть или нет влияния страничной организации на ресурс eeprom.
Цитирую Peter:

Правильная разводка и endurance КАК связаны? С BOD'ом тоже - как?

Правильное питание и BOD обеспечивают надёжную работу всего устройства и eeprom в часности.
Цитирую Peter:

Вам, видимо, предстоит много "открытий"))

Да-да, просвященья дух мне их наверное заготовил множество... :)
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 04:41
:) "Снаружи страничный а изнутри байтовый"? Увы, это может быть и иллюзия, для которой у AVR в контроллере EEPROM есть специальный автомат.

Надеюсь, по английски читаете?

Читаем: AVR C Runtime Library - Ошибки: bug #22240, Add EEPROM Page Size to header.
"The factory has confirmed, via my FAE, that the listed Endurance figures are on a page bases, and not a byte bases".
(http://savannah.nongnu.org/bugs/?22240)

Далее - читаем Using the EEPROM memory in AVR-GCC. Dean Camera.
One important fact to note is that the AVR's internal EEPROM memory has a limited lifespan of 100,000 writes per EEPROM page...
(http://deans-avr-tutorials.googlecode.com/svn/trunk/EEPROM/Output/EEPROM.pdf)
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 11:31
Цитирую Peter:
:)
Надеюсь, по английски читаете?

Вполне. С пониманием прочитанного, правда сложнее...


Цитирую Peter:

"The factory has confirmed, via my FAE, that the listed Endurance figures are on a page bases, and not a byte bases".

Одна бабка на базаре сказала FAE утверждает, что ресурс относится к странице, документация утверждает противоположное. В общем вопрос спорный...Непонятно что нужно сделать чтобы внести ясность, запросить суппорт или затереть eeprom у 1-2 мег...Но что это докажет? Мы к тому же не знаем методики определения eeprom endurance.

Цитирую Peter:

One important fact to note is that the AVR's internal EEPROM memory has a limited lifespan of 100,000 writes per EEPROM page...

Откуда он этот факт узнал?

Цитирую Peter:

EEPROM/Output/EEPROM.pdf)

Ссылка битая - файл не качается.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 18:45
"Ссылка битая - файл не качается".

Эх, дожили...
И ссылка не битая.
И отлично она качается.
И по приведенной фразе легко ищется в поисковиках.
И стыдно считать Dean Camera (AVR Applications Engineer) "одна бабка на базаре сказала".

В-общем, разговор принимает ненужную лиричность. Кому надо - спрашивайте по существу.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 19:06
Или, может, Вы разработчика avr-libc Bob Paddock считаете бабкой? Ведь это ему фабрика подтвердила про страничную организацию EEPROM))
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# JoJo 02.08.2013 19:26
Дин, Боб это конечно хорошо. Но есть же официальная документация. Почему вы не верите ей?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 19:37
В том-то и дело, что я верю ей! Верю даташитам, где написано про EEPROM page и указан ее размер. (И пожалуйста не надо говорить что у нее разная организация матрицы при доступе извне и изнутри)
Верю атмеловским инженерам (они гоаорят про page, но не говорят про 100000/байт). И чтобы явно написано что 100000/байт - тоже не видел. Покажите.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 20:13
Цитирую Peter:
В том-то и дело, что я верю ей! Верю даташитам, где написано про EEPROM page и указан ее размер.

Хорошо, а application notes верите? Их тоже атмеловские инженеры составляли.

Цитирую Peter:

Верю атмеловским инженерам (они гоаорят про page, но не говорят про 100000/байт). И чтобы явно написано что 100000/байт - тоже не видел.

Это упущение с их стороны. Надо такие параметры указывать.

Цитирую Peter:

Покажите.

Апнота для mega16 - повышают ресурс eeprom записью в 8-байтовый массив:
www.atmel.com/Images/AVR101.zip
www.atmel.com/Images/doc2526.pdf
Указывают, что endurance возрастает до 800000 циклов.

Для xmega приводил цитату где-то выше.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 20:21
Вы читаете посты или виляете? То "бабка сказала", то к апноутам отсылаете))
Даташиты что говорят? Дайте 100000/байт.

И во-вторых - дайте выдержки со ссылок -уважайте моё время! Там должно быть написано явно и ч0тко: выносливость - 100000/байт. - как привел - явно и ч0тко: PAGESIZE 8 bytes.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 20:41
Цитирую Peter:
то к апноутам отсылаете))
Даташиты что говорят?

Апноты также являются документацией от производителя и дополняют даташит. Не надо их игнорировать.

Цитирую Peter:

Там должно быть написано явно и ч0тко: выносливость - 100000/байт.

"явно и ч0тко" не получится - там вникать в алгоритм нужно.
Алгоритм простой - байт размазывается по 8-ми байтовому массиву(адреса 0-7). При этом endurance в итоге равна 800К. Что даёт 100К/байт.
Код:
/******************************************************/
/* Define the number of levels in the buffer, */
/* - eight levels will guarantee 800k writing of the parameter */
/******************************************************/
#define EE_PARAM_BUFFER_SIZE 8
#define EE_STATUS_BUFFER_SIZE EE_PARAM_BUFFER_SIZE
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 19:42
Цитирую Peter:
Или, может, Вы разработчика avr-libc Bob Paddock считаете бабкой?

Не считаю. Потому как про Dean Camera и про Bob Paddock впервые слышу. (Темнота я бескультурная...:) )

Цитирую Peter:
Ведь это ему фабрика подтвердила про страничную организацию EEPROM))

Тогда подробности не помешают. Какая фабрика (atmel их продал года 3-4 назад)? К каким конкретно avr-ам относится его утверждение? К Mega или xmega?
К тому же официальная документация утверждает противоположное .
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 19:59
Три-четыре года назад?! Да зайдите же на avr-libc и посмотрите, что она с 2002 года существует (Portions of avr-libc are Copyright (c) 1999-...)! Какие 3-4 года назад?
Эти споры велись 10 лет назад если не больше.
Ну почему я должен Вам искать по этим вашим интернетам?

Ладно. Про страничную выносливость высказались даташЫты и уважаемые атмелом люди. А где подтверждения выносливости 100000/байт?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 20:35
Цитирую Peter:

Эти споры велись 10 лет назад если не больше.

Возможно информация устарела - тех. процессы сменились, фабрики проданы...
Цитирую Peter:

Ладно. Про страничную выносливость высказались даташЫты и уважаемые атмелом люди.

Про "страничную выносливость" в даташитах не говорится, так же как и про байтовую. Там пишется про "write/erase cycle".
Цитата:

The ATmega164A...1284P contains 512...4Kbytes of data EEPROM memory. It is organized as a separate data space, in which single bytes can
be read and written. The EEPROM has an endurance of at least 100,000 write/erase cycles.
Пишут что каждый байт может быть перезаписан и таких циклов - 100К.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 20:41
Вот что в даташите:
"The EEPROM is organized in pages".
Что еще непонятно? ))
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 02.08.2013 20:45
"Пишут что каждый байт может быть перезаписан и таких циклов - 100К".

Да! Но только если также НЕ ПИСАТЬ В СОСЕДНИЙ АДРЕС ЭТОЙ ЖЕ СТРАНИЦЫ! ))
Они правы! Это так! 100000 в одну!
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 02.08.2013 21:10
Цитирую Peter:
"Пишут что каждый байт может быть перезаписан и таких циклов - 100К".

Да!

Зер гут!

Цитирую Peter:
Но только если также НЕ ПИСАТЬ В СОСЕДНИЙ АДРЕС ЭТОЙ ЖЕ СТРАНИЦЫ! ))

Это уже ваши домыслы. Там этого не написано.
Если принять ваше утверждение за правду, то реальные ресурс eeprom 100К/8, то есть 12,5К. В моих программах нет "размазывания" сохраняемых данных по разным страницам. И есть данные лежащие на одной странице и часто перезаписываемы е (конечно с учётом ресурса в 100К циклов на байт).
Думаю что за 10+ лет, что я работаю с АВР я бы уже не раз напоролся бы на отказ eeprom из-за ресурса в 12К. Но нет - не попадалось такое.
Потому - не верю. Разве что в суппорт написать запрос...но по буржуйски писать лениво...
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 03.08.2013 06:45
Цытата из самого себя:
Вот что в даташите:
"The EEPROM is organized in pages".
Что еще непонятно? ))

Не "записывается", не "программируетс я" - а изначально "Организована" как Страничная!

Верить не верить - вопрос свободы совести.
По мне - если есть несколько трактовок ситуации - применяй самую ограничивающую.

Хорошо, что это сходится с мнением инсайдеров - непосредственно из Атмела))
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# vintera 01.08.2013 12:19
извините может не в тему по ii2c материалы будут?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# _Артём_ 01.08.2013 21:45
Цитата:
- Также в многие разработчике рекомендуют не использовать 0-ую ячейку EEPROM`a, поскольку именно ее содержимое чаще всего повреждается при снижении питания микроконтроллера.
Интересно, возникали у кого-нибудь повреждение ячейки с нулевым адресом?
Мне такие сбои не попадались. Видимо эта рекомендация может считаться устаревшей и для современных мег не актуальной (у classic avr такая проблема вроде бы была). Или нет?
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 01.08.2013 22:50
У меня не возникало, но я по работе микроконтроллер ами мало пользуюсь, поэтому это не показатель. Такие рекомендации я слышал на многих форумах.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Вовка 03.08.2013 08:27
Недавно приятелю пришлось отключить BOD, говорит нулевая ячейка стабильно стала портиться на всех подопытных 2313А. Механизм её повреждения (только при отключеном BOD) примерно следующий: при включении (при выключении вроде всё нормально, но ... ) питания высока вероятность повреждения ячейки с адресом, который в регистре EEADR. При включении в нём 0, поэтому сбивается нулевая ячейка, при выключении в EEADR номер последней ячейки к которой обращались, поэтому я всегда в конце работы с eeprom читаю нулевую ячейку на всякий случай.
А вообще это не баг, а фича - типа если хотите уменьшить ток (у avr, ага :) или вам на не на eeprom, выключаете BOD и извращаетесь с культурой использования eeprom.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# pixy 05.08.2013 02:48
А у меня и с включенным BOD портились на ура и по произвольным адресам. Что интересно, только в случае наличия в прошивке функции ЗАПИСИ в EEPROM. А причиной оказалась неаккуратная разводка конденсаторов обвязки кварца (подключил к общему земляному полигону). При включении питания контроллер тактируется наводками на тактовый генератор и если набредает на процедуру записи пищет EEDR по EEAR, то есть мусор по произвольному адресу. В общем я подключил конденсаторы кварца к GND контроллера так сказать "эксклюзивно" и все пришло в норму.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 03.08.2013 11:12
Что думаете насчет вот этого текста support.atmel.com/bin/customer.exe?=&action=viewKbEntry&id=1240.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Peter 03.08.2013 11:27
Думаю, они правильно пишут.
Правда, отвечают на свои же вопросы))

И всячески уворачиваются от вопроса:
В какой-то момент программы в Вашей EEPROM пусть так:
Ячейка с адресом 0 содержит FF.
Ячейка с адресом 1 содержит 00.

Записать в ячейку 0 число 00.
На сколько циклов уменьшится?
Вот это и интересТно!
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать
# Pashgan 05.08.2013 11:51
Запустил тест ресурса EEPROM. Сейчас тестируется второй байт, нулевой и первый уже убиты. О результатах сообщу позже.
Ответить | Ответить с цитатой | Цитировать

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить